IXTT120N15P
제조 업체:
익시스
기술:
MOSFET N-CH 150V 120A TO268
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스:
TO-268-3, D3Pak (2개 리드 + 탭), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
16m옴 @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
10V
Package:
Tube
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
150 Ｖ
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4900 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Polar
Supplier Device Package:
TO-268AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
600W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTT120
소개
N 채널 150V 120A (Tc) 600W (Tc) 표면 마운트 TO-268AA
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