PMXB120EPEZ
제조 업체:
넥스페리아 USA Inc.
기술:
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 2.5V
작동 온도:
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
패키지 / 케이스:
3-XDFN 노출 패드
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
11nC @ 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
2.4A, 10V에 있는 120mOhm
FET은 타이핑합니다:
P-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
4.5V, 10V
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
30V
브그스 (맥스):
±20V
제품 상태:
액티브
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
15V에서 309pF
장착형:
표면 마운트
시리즈:
-
공급자의 장치 패키지:
DFN1010D-3
Mfr:
넥스페리아 미국 Inc.
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
2.4A (Ta)
전력 소모 (맥스):
400mW(Ta), 8.3W(Tc)
기술:
MOSFET (금속 산화물)
기본 제품 번호:
PMXB120
소개
P 채널 30 V 2.4A (Ta) 400mW (Ta), 8.3W (Tc) 표면 마운트 DFN1010D-3
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