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BUK9Y65-100E115

제조 업체:
넥스페리아 USA Inc.
기술:
MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET Feature:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
1mA에 있는 2.1V
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14 nC @ 5 V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
63.3m옴 @ 5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±10V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1523 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
19A (Tc)
Power Dissipation (Max):
64W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BUK9Y65
소개
N 채널 100 V 19A (Tc) 64W (Tc) 표면 마운트 LFPAK56, 전력-SO8
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