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BUK9Y4R8-60E115

제조 업체:
넥스페리아 USA Inc.
기술:
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
50 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.1mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±10V
Product Status:
Active
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
25V에서 7853pF
Mounting Type:
Surface Mount
시리즈:
자동차, AEC-Q101, 트렌치모스트텀
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
넥스페리아 USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100A (Tc)
전력 소모 (맥스):
238W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BUK9Y4
소개
N 채널 60V 100A (Tc) 238W (Tc) 표면 장착 LFPAK56, 전력 SO8
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