SI7461DP-T1-E3
제조 업체:
비샤이 실리코닉스
기술:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
10 Ｖ에 있는 190 nC
FET 특징:
-
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
TrenchFET®
브그스 (맥스):
±20V
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 3V
공급자의 장치 패키지:
PowerPAK® SO-8
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
14.5m옴 @ 14.4A, 10V
Mfr:
비샤이 실아이코닉스
작동 온도:
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
FET은 타이핑합니다:
P-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
4.5V, 10V
전력 소모 (맥스):
1.9W(타)
패키지 / 케이스:
PowerPAK® SO-8
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
60 Ｖ
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
8.6A(타)
기술:
MOSFET (금속 산화물)
기본 제품 번호:
SI7461
소개
P-채널 60 Ｖ 8.6A (Ta) 1.9W (Ta) 표면 부착 PowerPAK® SO-8
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