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SQM120P06-07L_GE3

제조 업체:
비샤이 실리코닉스
기술:
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET 특징:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
작동 온도:
-55' C ~ 175' C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
10 V에 있는 270 nC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.7mOhm @ 30A, 10V
FET은 타이핑합니다:
P-채널
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
14280 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQM120
소개
P 채널 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) 표면 마운트 TO-263 (D2Pak)
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