필터
필터
메모리
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
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K4B2G1646F-BCK0 |
무연 및 무할로겐을 갖춘 96FBGA
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삼성 반도체
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K4H511638J -LCCC |
512Mb C-다이 DDR SDRAM 사양
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삼성 반도체
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K9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-다이 NAND 플래시
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삼성 반도체
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K4W1G1646E-HC12 |
그래픽 메모리
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삼성 반도체
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K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-다이 DDR2 SDRAM
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삼성 반도체
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K4B4G1646D-BCMA |
4Gb B-다이 DDR3 SDRAM 올니 x16
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삼성 반도체
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MT48LC16M16A2P-6A :Ｇ |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
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미크론 기술
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MT48LC8M16A2B4-6A :Ｌ |
IC DRAM 128M 병렬 54VFBGA
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미크론 기술
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MT48LC8M16A2P-6A :Ｌ |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
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미크론 기술
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MT41K256M16HA-125IT :Ｅ |
IC DRAM 4G 병렬 96FBGA
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미크론 기술
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MTFC4GLGDQ-AIT |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
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미크론 기술
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MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C |
IC 플래시 16G PARALLEL 48TSOP
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미크론 기술
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MT29F1G08ABAEAWP :Ｅ |
IC 플래시 1G PARALLEL 48TSOP
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미크론 기술
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JS28F256M29EWH |
IC 플래시 256M PARALLEL 56TSOP
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미크론 기술
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MT29F4G08ABAEAH4-IT:E |
IC 플래시 4G 병렬 63VFBGA
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미크론 기술
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MT29F8G08ABACAWP-IT :Ｃ |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
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미크론 기술
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M29W128GH7AN6E |
IC 플래시 128M 병렬 56TSOP
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미크론 기술
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MT41J128M16JT-093 :Ｋ |
IC DRAM 2G 병렬 96FBGA
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미크론 기술
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MT41J256M16HA-093:E |
IC DRAM 4G 병렬 96FBGA
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미크론 기술
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N25Q032A13EF440E |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8PDFN
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미크론 기술
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N25Q128A13EF740E |
IC 플래시 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
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미크론 기술
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PC28F320J3F75A |
IC 플래시 32M 병렬 64EASYBGA
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미크론 기술
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MT48LC2M32B2P-6A :Ｊ |
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
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미크론 기술
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MT48LC32M8A2P-6A:G |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
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미크론 기술
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MT48LC4M16A2P-6A :Ｊ |
IC DRAM 64M 병렬 54TSOP
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미크론 기술
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W29N01GVSIAA |
IC 플래시 1G PARALLEL 48TSOP
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윈본드 전자공학
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W25Q16CLSSIG |
IC 플래시 16M SPI 50MHZ 8SOIC
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윈본드 전자공학
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W25Q32FVSSIQ |
IC 플래시 32M SPI 104MHZ 8SOIC
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윈본드 전자공학
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W25Q128FVPIQ |
IC 플래시 128M SPI 104MHZ 8WSON
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윈본드 전자공학
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PC28F320J3F75E |
IC 플래시 32M 병렬 64EASYBGA
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미크론 기술
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M25P128-VMF6PB |
IC FLASH 128M SPI 54MHZ 16SO W
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미크론 기술
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MT47H32M16NF-25E :Ｈ |
IC DRAM 512M 병렬 84FBGA
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미크론 기술
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MT29F32G08CBACAWP-Z :Ｃ |
IC 플래시 32G 병렬 48TSOP I
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미크론 기술
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MT29F64G08CBAAAWP-Z:A |
IC 플래시 64G 병렬 48TSOP I
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미크론 기술
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N25Q256A81ESF40G |
IC 플래시 256M SPI 108MHZ 16SOP2
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미크론 기술
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EDW4032BABG-70-F-D |
IC 램 4G PARALLEL 170FBGA
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미크론 기술
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W25Q128FVSIQ |
IC 플래시 128M SPI 104MHZ 8SOIC
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윈본드 전자공학
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W25Q256FVEIQ |
IC 플래시 256M SPI 104MHZ 8WSON
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윈본드 전자공학
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W25Q16DVSSIQ |
IC 플래시 16M SPI 104MHZ 8SOIC
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윈본드 전자공학
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W25Q80BLUXIG |
IC 플래시 8M SPI 80MHZ 8USON
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윈본드 전자공학
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MT41J256M16LY-091G:N |
IC DRAM 4G 병렬 1GHZ 96FBGA
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미크론 기술
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MT41K512M16HA-125 :A |
DRAM 8G 1.35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
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미크론 기술
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MT40A256M16GE-075E:B |
IC DRAM 4G 병렬 96FBGA
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미크론 기술
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TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1Gbit CMOS NAND EEPROM
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토시바
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TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1Gbit CMOS NAND EEPROM
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토시바
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TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4Gbit CMOS NAND EEPROM
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토시바
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TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
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토시바
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TC58NVG3S0FTA00 |
플래시 메모리 8Gb 3.3V SLC NAND 플래시 메모리 EEPROM
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토시바
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MT29F256G08CJABBWP-12IT:B |
IC 플래시 256G PARALLEL 83MHZ
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미크론 기술
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F |
IC 플래시 램 4G PARALLEL 533MHZ
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미크론 기술
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