TC58NYG0S3HBAI6
제조 업체:
토시바
기술:
EEPROM 1.8V, 1Gbit CMOS NAND EEPROM
범주:
반도체
상술
공급전류 - 맥스:
30mA
상품 카테고리:
EEPROM
증가하는 방식:
SMD/SMT
조직:
128 Ｍ Ｘ 8
패키지 / 케이스:
VFBGA-67
메모리 용량:
1 그비트
포장:
트레이
시리즈:
TC58NYG0S3
인터페이스 타입:
대비
최대 클록 주파수:
-
제조업자:
토시바
소개
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EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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