필터
필터
메모리
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IS64WV102416BLL-10MA3 |
SRAM 16M(1Mx16) 10ns 비동기 SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-8TL |
SRAM 1Mb 64Kx16 8ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10TL |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
24LC64-I/SN |
IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SOIC
|
마이크로칩 기술
|
|
|
|
|
|
W25Q128JVSIM |
IC 플래시 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
윈본드 전자공학
|
|
|
|
|
|
MT40A512M8RH-083E :비 |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
IS61LV2568L-10T |
SRAM 2Mb 256Kx8 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-10TL-TR |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G 병렬 96WBGA
|
윈본드 전자공학
|
|
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M 병렬 66TSOP II
|
윈본드 전자공학
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-10TL |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10BLI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-10TLI |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV12816L-10TLI |
SRAM 2Mb 128Kx16 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61NLP51236-200B3LI |
SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz 동기화 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LPS51236A-200TQLI |
SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz 동기화 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS62WV10248DBLL-55TLI |
SRAM 8M(1Mx8) 55ns 비동기 SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
W25X40CLSNIG |
IC 플래시 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
윈본드 전자공학
|
|
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
IC 플래시 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
윈본드 전자공학
|
|
|
|
|
|
CAT24C04WI-GT3 |
IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOIC
|
1개
|
|
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
윈본드 전자공학
|
|
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M 병렬 84WBGA
|
윈본드 전자공학
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
IC 플래시 256M SPI 133MHZ 16SOP2
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
M29W160EB70N6E |
IC 플래시 16M 병렬 48TSOP
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
M29W320EB70N6E |
IC 플래시 32M 병렬 48TSOP
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M32B2TG-7 :Ｇ |
IC DRAM 128M 병렬 86TSOP II
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
IC 플래시 64M SPI 50MHZ 16SO W
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M 병렬 84WBGA
|
윈본드 전자공학
|
|
|
|
|
|
JS28F640J3D75A |
IC 플래시 64M 병렬 56TSOP
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
JS28F128J3D75A |
IC 플래시 128M 병렬 56TSOP
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6TP |
IC 플래시 16M SPI 75MHZ 8SO
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
M25P40-VMN6TPB |
IC 플래시 4M SPI 75MHZ 8SO
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
IS66WVE4M16ALL-70BLI |
SRAM 64Mb 70ns1.7-1.95v 4M x 16 의사 SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08AFABAWP-IT:B |
IC 플래시 32G 병렬 48TSOP I
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
JS28F128P30BF75A |
IC 플래시 128M 병렬 56TSOP
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
MT47H64M16HR-25E :Ｈ |
IC DRAM 1G 병렬 84FBGA
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08CBABAWP:B |
IC 플래시 64G 병렬 48TSOP I
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
IS61LV12816L-10BI |
SRAM 2Mb 128Kx16 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS62WV25616BLL-55TI |
SRAM 4Mb 256Kx16 55ns 비동기 SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M16A2P-75 :Ｃ |
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
IS61WV102416BLL-10MI |
SRAM 16M 3.3V 10ns 1M x 16 비동기 SRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10TI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LF51236A-7.5TQLI |
SRAM 18Mb 512Kx36 7.5ns 동기화 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-10JLI |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
NAND128W3A2BN6E |
IC 플래시 128M 병렬 48TSOP
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
IS66WVH16M8ALL-166B1LI |
SRAM 128Mb 16Mbx8 1.8V 166MHz 하이퍼RAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV2568L-10TL |
SRAM 2Mb 256Kx8 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10TLI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10TLI-TR |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns 비동기 SRAM 3.3v
|
ISSI
|
|
|