필터
필터
메모리
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
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MT40A1G16WBU-083E:B |
IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHz
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미크론 기술
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MT40A1G8WE-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
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미크론 기술
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MT40A512M16JY-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
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미크론 기술
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC 플래시 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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미크론 기술
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MT35XU512ABA1G12-0AAT |
직렬 또는 SLC 64MX8 TBGA
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미크론 기술
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S29GL032N90FFIS42 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ
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미크론 기술
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TC58NVG2S3ETA00 |
순간 메모리 4Gb 3.3V SLC 낸드 플래쉬 시리얼 이이피롬
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토시바
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MTFC16GAPALBH-AAT |
IC 플래시 128G MMC
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미크론 기술
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TGBMDG5D1LBAIL |
순간 메모리 4GB NAND EEPROM
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토시바
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THGBMHG8C2LBAIL |
플래시 메모리 32GB NAND EEPROM(CQ 포함)
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토시바
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MT2국제산업기구 |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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미크론 기술
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TC58NVG1S3ETAI0 |
플래시 메모리 1Gb 3.3V SLC NAND 플래시 직렬 EEPROM
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토시바
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MTFC32GAPALBH-AIT |
IC 플래시 256G MMC
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미크론 기술
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MTFC64GAJAECE-AAT |
IC FLASH 512G MMC
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미크론 기술
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MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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미크론 기술
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MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
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미크론 기술
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IS25LQ040B-JNLE-TR |
플래쉬 메모리 4Mb QSPI, 8 핀 SOP 150Mil, 로에스, ET, T&R
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ISSI
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N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
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미크론 기술
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S34ML02G104TFI010 |
플래시 메모리 2G 3V 25ns NAND 플래시
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사이프러스 반도체
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MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC 플래시 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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미크론 기술
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S34ML01G100TFI000 |
플래쉬 메모리 1Gb 3V 25 나노 초 낸드 플래쉬
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에스판션 / 사이프레스
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S34ML04G200TFI000 |
플래쉬 메모리 4G, 3V, 25 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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IS25LQ040B-JBLE-TR |
플래쉬 메모리 4Mb QSPI, 8 핀 SOP 208Mil, 로에스, ET, T&R
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ISSI
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S25FL164K0XMFI013 |
일련이지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 64M, 3.0V, 108Mhz
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사이프러스 반도체
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IS25LQ512B-JNLE |
플래시 메모리 512Kb QSPI, 8핀 SOP 150Mil, RoHS, ET
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ISSI
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IS25LQ040B-JNLE |
플래시 메모리 4Mb QSPI, 8핀 SOP 150Mil, RoHS, ET
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ISSI
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W25Q32BVSSJG |
IC 플래시 메모리 32MB
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윈본드 전자공학
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MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC 플래시 128M SPI 24TPBGA
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미크론 기술
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S29PL032J70BFI120 |
플래쉬 메모리 32Mb 3V 70 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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S34ML01G100BHI000 |
플래쉬 메모리 1Gb 3V 25 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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K9F5608U0D-PCB0 |
32M x 8비트 NAND 플래시 메모리
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삼성 반도체
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K4A8G085WB-BCPB |
8Gb B-다이 DDR4 SDRAM
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삼성 반도체
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K4A8G165WC-BCTD |
8Gb B-다이 DDR4 SDRAM x16
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삼성 반도체
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K4B4G0846Q-HYK0 |
DDP 4Gb B-다이 DDR3 SDRAM 사양
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삼성 반도체
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K4T1G164QE-HCE7 |
무연 및 무할로겐을 갖춘 1Gb E-다이 DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA(RoHS 준수)
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삼성 반도체
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S25FL127SABBHIC00 |
플래시 메모리 128MB 3V 108MHz 직렬 NOR 플래시
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에스판션 / 사이프레스
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16Gb E-다이 NAND 플래시
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삼성 반도체
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K4G20325FD-FC03 |
그래픽 메모리
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삼성 반도체
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K4G41325FE-HC28 |
그래픽 메모리
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삼성 반도체
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K4E6E304EE-EGCF |
메모리 IC
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삼성 반도체
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S29WS512P0SBFW000 |
평행하지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 512Mb 1.8V 80Mhz
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에스판션 / 사이프레스
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S29WS256P0PBFW000 |
플래시 메모리 256Mb 1.8V 66Mhz 병렬 NOR 플래시
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에스판션 / 사이프레스
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S29GL032N90TFI030 |
플래시 메모리 3V 32Mb 플로트 게이트 2개 주소 90s
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사이프러스 반도체
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S29GL064N90TFI010 |
플래쉬 메모리 64Mb 3V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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IS42S16320B-6TL |
DRAM 512M(32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
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ISSI
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC 플래시 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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미크론 기술
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
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미크론 기술
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IS43TR16128AL-125KBL |
DRAM 2G 1.35V(128M x 16) DDR3 SDRAM
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ISSI
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K4B1G1646G-BCH9 |
1Gb D다이 DDR3 SDRAM 사양
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삼성 반도체
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