필터
필터
트랜지스터
이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF8N60C |
MOSFET 600V N-Ch Q-FET 고급 C-시리즈
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
IXTP02N120P |
MOSFET 500V~1,200V 극성 전력 MOSFET
|
익시스
|
|
|
|
![]() |
IPD50N04S4-08 |
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
인피니온 테크놀로지
|
|
|
|
![]() |
3LP01M-TL-E |
MOSFET NCH 1.5V 드라이브 시리즈
|
1개
|
|
|
|
![]() |
IPA65R660CFD |
MOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP CoolMOS CFD2
|
인피니온 테크놀로지
|
|
|
|
![]() |
IXFH74N20P |
MOSFET 74암페어 200V 0.034 Rds
|
익시스
|
|
|
|
![]() |
SI7315DN-T1-GE3 |
MOSFET -150V .315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
PMGD175XNEX |
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
|
넥스페리아
|
|
|
|
![]() |
BSS84AKS,115 |
MOSFET P-CH -50V -160mA
|
넥스페리아
|
|
|
|
![]() |
IRFB7437PBF |
MOSFET 40V 2.0m옴 195A HEXFET 230W 150nC
|
인피니온 테크놀로지
|
|
|
|
![]() |
IPW60R099CP |
MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
|
인피니온 테크놀로지
|
|
|
|
![]() |
SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P 채널 -60Vds 20Vgs AEC-Q101 인증
|
실리코닉스 / 비샤이
|
|
|
|
![]() |
NX3008NBK,215 |
MOSFET 30V 400MA N-CH 트렌치 MOSFET
|
넥스페리아
|
|
|
|
![]() |
SI7145DP-T1-GE3 |
MOSFET -30V 2.6mOhm@10V 60A P-Ch G-III
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
SPP11N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
|
인피니온 테크놀로지
|
|
|
|
![]() |
FQPF8N80C |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET 고급 C-시리즈
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
FCD850N80Z |
MOSFET SuperFET2 800V 850m옴 제너
|
1개
|
|
|
|
![]() |
FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET 고급 C-시리즈
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
SI4850EY-T1-E3 |
MOSFET 60볼트 8.5암페어 3.3W
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
FQB9P25TM |
MOSFET 250V P채널 QFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
FDMC8884 |
MOSFET 30V N채널 파워 트렌치
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
SI3585CDV-T1-GE3 |
MOSFET 20볼트 3.9암페어 1.4와트
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
IXFK26N120P |
MOSFET 26암페어 1200V
|
익시스
|
|
|
|
![]() |
ATP113-TL-H |
MOSFET 스위칭 장치
|
1개
|
|
|
|
![]() |
SUM10250E-GE3 |
MOSFET N 채널 250Vds 20Vgs
|
실리코닉스 / 비샤이
|
|
|
|
![]() |
IXFH16N50P |
MOSFET 500V 16A
|
익시스
|
|
|
|
![]() |
IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70Amp
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
SI4532CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mΩ @ 10V
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
FQA90N15 |
MOSFET 150V N채널 QFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
FDA59N30 |
MOSFET 500V NCH MOSFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
FQP22N30 |
MOSFET 300V N채널 QFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
FQP4P40 |
MOSFET 400V P채널 QFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
FQP70N10 |
MOSFET 100V N채널 QFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
FDMC86260 |
MOSFET NChan Sgle 150V 16A PowerTrench MOSFET
|
1개
|
|
|
|
![]() |
FDMC86139P |
MOSFET PT5 100V/25V Pch 파워 트렌치 MOSFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
FQPF7N80C |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET 고급 C-시리즈
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
FQB12P20TM |
MOSFET 200V P채널 QFET
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8.0Amp
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
FQT4N20LTF |
MOSFET 200V 싱글
|
페어 차일드 반도체
|
|
|
|
![]() |
SI2307CDS-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88mΩ @ 10V
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
NTZD3154NT1G |
MOSFET 20V 540mA 듀얼 N 채널(ESD 포함)
|
1개
|
|
|
|
![]() |
NX7002BKR |
MOSFET 60V N채널 트렌치 MOSFET
|
넥스페리아
|
|
|
|
![]() |
SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET 듀얼 N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg 일반
|
실리코닉스 / 비샤이
|
|
|
|
![]() |
IXTH110N10L2 |
MOSFET L2 선형 전력 MOSFET
|
익시스
|
|
|
|
![]() |
IPP60R125C6 |
MOSFET N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6
|
인피니온 테크놀로지
|
|
|
|
![]() |
SI7121DN-T1-GE3 |
MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
SI1016X-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200mohms@4.5V
|
비샤이 반도체
|
|
|
|
![]() |
BSC034N06NS |
MOSFET 차별화된 MOSFET
|
인피니온 테크놀로지
|
|
|
|
![]() |
IPA60R190C6 |
MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
|
인피니온 테크놀로지
|
|
|