FDPF10N60NZ
제조 업체:
페어 차일드 반도체
기술:
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
상품 카테고리:
MOSFET
증가하는 방식:
구멍을 통해
상표명:
UNIFET
패키지 / 케이스:
TO-220FP-3
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
600 Ｖ
포장:
튜브
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
5 Ｖ
Id - 연속배수 경향:
10 A
Rds에 - 드레인-소스 저항:
640m옴
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
25 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
23 nC
제조업자:
페어 차일드 반도체
소개
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