필터
필터
플래쉬 메모리
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
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TC58NVG3S0FTA00 |
플래시 메모리 8Gb 3.3V SLC NAND 플래시 메모리 EEPROM
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토시바
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S29GL032N90FFA040 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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'THGBMFG7C1LBAIL' |
플래시 메모리 16GB NAND EEPROM
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토시바
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S29GL032N90FFIS42 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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TC58NVG2S3ETA00 |
순간 메모리 4Gb 3.3V SLC 낸드 플래쉬 시리얼 이이피롬
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토시바
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TGBMDG5D1LBAIL |
순간 메모리 4GB NAND EEPROM
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토시바
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THGBMHG8C2LBAIL |
플래시 메모리 32GB NAND EEPROM(CQ 포함)
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토시바
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TC58NVG1S3ETAI0 |
플래시 메모리 1Gb 3.3V SLC NAND 플래시 직렬 EEPROM
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토시바
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IS25LQ040B-JNLE-TR |
플래쉬 메모리 4Mb QSPI, 8 핀 SOP 150Mil, 로에스, ET, T&R
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ISSI
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S34ML02G104TFI010 |
플래시 메모리 2G 3V 25ns NAND 플래시
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사이프러스 반도체
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S34ML01G100TFI000 |
플래쉬 메모리 1Gb 3V 25 나노 초 낸드 플래쉬
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에스판션 / 사이프레스
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S34ML04G200TFI000 |
플래쉬 메모리 4G, 3V, 25 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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IS25LQ040B-JBLE-TR |
플래쉬 메모리 4Mb QSPI, 8 핀 SOP 208Mil, 로에스, ET, T&R
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ISSI
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S25FL164K0XMFI013 |
일련이지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 64M, 3.0V, 108Mhz
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사이프러스 반도체
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IS25LQ512B-JNLE |
플래시 메모리 512Kb QSPI, 8핀 SOP 150Mil, RoHS, ET
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ISSI
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IS25LQ040B-JNLE |
플래시 메모리 4Mb QSPI, 8핀 SOP 150Mil, RoHS, ET
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ISSI
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S29PL032J70BFI120 |
플래쉬 메모리 32Mb 3V 70 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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S34ML01G100BHI000 |
플래쉬 메모리 1Gb 3V 25 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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S25FL127SABBHIC00 |
플래시 메모리 128MB 3V 108MHz 직렬 NOR 플래시
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에스판션 / 사이프레스
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S29WS512P0SBFW000 |
평행하지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 512Mb 1.8V 80Mhz
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에스판션 / 사이프레스
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S29WS256P0PBFW000 |
플래시 메모리 256Mb 1.8V 66Mhz 병렬 NOR 플래시
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에스판션 / 사이프레스
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S29GL032N90TFI030 |
플래시 메모리 3V 32Mb 플로트 게이트 2개 주소 90s
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사이프러스 반도체
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S29GL064N90TFI010 |
플래쉬 메모리 64Mb 3V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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S29CD016J0PQAM113 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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S29GL128N90FFAR22 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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TGBMFG6C1LBAIL |
플래시 메모리 8GB NAND EEPROM
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토시바
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S29GL032N90FFIS30 |
플래쉬 메모리 32Mb 3V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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THGBMHG7C1LBAIL |
CQ와 순간 메모리 16GB NAND EEPROM
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토시바
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S70FL256P0XMFI001 |
순간 메모리 256M, 3.0V, 104Mhz SPI도 또한 플래시
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사이프러스 반도체
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S25FL116K0XMFI041 |
일련이지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 16M, 3V, 108Mhz
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사이프러스 반도체
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IS25LQ020B-JNLE-TR |
플래시 메모리 2Mb QSPI, 8핀 SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
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ISSI
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IS25LQ032B-JBLE |
플래쉬 메모리 32M SPI, 8 핀 SOP 208 밀리리터 ET 2.3-3.6V
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ISSI
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S29JL032J70TFI220 |
플래쉬 메모리 32MB은 3.0V 70 나노 초 평행한 NOR 플래시를 번쩍입니다
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사이프러스 반도체
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S34MS04G100BHI000 |
플래시 메모리 4G, 1.8V, 45ns NAND 플래시
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에스판션 / 사이프레스
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S34ML01G200BHV000 |
플래쉬 메모리 Nand
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사이프러스 반도체
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S34MS01G100BHI000 |
플래시 메모리 1G, 1.8V, 45ns NAND 플래시
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에스판션 / 사이프레스
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S29GL032N90TFI023 |
플래쉬 메모리 32MB 2.7-3.6V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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IS25WP016D-JULE-TR |
NOR 플래시 16Mb QSPI, 8핀 USON 2X3MM, RoHS, T&R
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ISSI
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S29GL512P11FFI020 |
플래쉬 메모리 512Mb 3V 110 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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S25FL116K0XMFI011 |
일련이지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 16M, 3V, 108Mhz
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사이프러스 반도체
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TC58NVG1S3ETA00 |
플래시 메모리 1Gb 3.3V SLC NAND 플래시 직렬 EEPROM
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토시바
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TH58NVG4S0FTA20 |
순간 메모리 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
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토시바
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TH58NVG5S0FTAK0 |
순간 메모리 32Gb 3.3V IC 순간 NAND EEPROM
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토시바
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TC58NVG0S3ETA00 |
플래시 메모리 1Gb 3.3V SLC NAND 플래시 EEPROM
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토시바
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THGBMHG6C1LBAWL |
플래시 메모리 8GB NAND EEPROM I-Temp
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토시바
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TGBMFG8C2LBAIL |
플래시 메모리 32GB NAND EEPROM
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토시바
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TC58CVG1S3HRAIG |
일련인 순간 메모리 2Gb 3.3V SLC 낸드 플래쉬
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토시바
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S29GL064N90TFA043 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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THGBMDG5D1LBAIT |
순간 메모리 4GB NAND EEPROM
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토시바
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THGBMHG9C4LBAIR |
CQ와 순간 메모리 64GB NAND EEPROM
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토시바
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