THGBMHG9C4LBAIR
제조 업체:
토시바
기술:
CQ와 순간 메모리 64GB NAND EEPROM
범주:
반도체
상술
상품 카테고리:
플래쉬 메모리
증가하는 방식:
SMD/SMT
패키지 / 케이스:
FBGA-153
공급 전압 - 맥스:
3.6V
메모리 용량:
64 GB
포장:
트레이
공급 전압 - 민:
2.7 Ｖ
기억 영역형:
NAND
작동 온도 범위:
- + 85 Ｃ에 대한 25 Ｃ
제조업자:
토시바
소개
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