필터
필터
메모리
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
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IS43TR16640BL-107MBLI |
DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 볼 BGA(9mm x13mm) RoHS, IT
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ISSI
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IS43TR16256A-125KBL |
DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43DR16128A-3DBLI |
DRAM 2G 1.8V DDR2 128Mx16 333Mhz@CL5 84 BGA
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ISSI
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IS41C16105C-50KLI |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 고속 페이지 DRAM
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ISSI
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IS41LV16100C-50KLI |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM 비동기
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ISSI
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IS43TR16640B-15GBLI |
DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1333MT/s @ 8-8-8, 96 볼 BGA(9mm x13mm) RoHS, IT
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ISSI
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IS43TR16256A-15HBLI |
DRAM 4G, 1.5V, 1333Mhz DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS46TR16256AL-125KBLA2 |
DRAM 4G, 1.35V, 1600MT/s DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16640B-125JBLI-TR |
DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 볼 BGA(9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
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ISSI
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IS46TR16256A-15HBLA2 |
DRAM 4G, 1.5V, 1333MT/s DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43DR16128B-25EBL |
DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 볼 BGA(10.5mmx13.5mm) RoHS
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ISSI
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IS43LR16320B-6BLI |
DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR 모바일
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ISSI
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IS43TR16128BL-125KBLI |
DRAM 2G, 1.35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
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ISSI
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IS43TR16640A-15GBL |
DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1300Mhz DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS41LV16105C-50KLI |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 고속 페이지 DRAM
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ISSI
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IS46TR16256A-15HBLA1 |
DRAM 4G, 1.5V, 1333MT/s DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16640A-15GBLI |
DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1300Mhz DDR3 SDRAM
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ISSI
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AT25SF041-SSHD-T |
IC 플래시 4M SPI 104MHZ 8SOIC
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아데스토 기술
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MX25L12835FMI-10G |
IC 플래시 128M SPI 104MHZ 16SOP
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MXIC, 마크로닉스
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MX25R2035FZUIL0 |
IC 플래시 2M SPI 33MHZ 8USON
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MXIC, 마크로닉스
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MX30LF2G18AC-TI |
IC 플래시 2G 병렬 48TSOP
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MXIC, 마크로닉스
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M24C64-RMN6TP |
IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8SO
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STM이크로전자
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MX30LF1G18AC-TI |
IC 플래시 1G PARALLEL 48TSOP
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MXIC, 마크로닉스
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MT41K512M8DA-107 :Ｐ |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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미크론 기술
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MX29LV160DBTI-70G |
IC 플래시 16M 병렬 48TSOP
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MXIC, 마크로닉스
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MT41K64M16TW-107 :Ｊ |
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
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미크론 기술
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M24C64-RDW6TP |
IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8TSSOP
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STM이크로전자
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MX68GL1G0GHT2I-10G |
IC 플래시 1GBIT
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MXIC, 마크로닉스
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AT21CS01-MSHMHU-T |
EEPROM SEEPROM, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 2-XSFN
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아트멜 / 마이크로칩 기술
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NT2국제산업기구 |
상업용, 산업용 및 자동차용 DDR3(L) 1Gb SDRAM
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나냐 기술
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SST39VF040-70-4C-nhe |
상업적인 플래쉬 메모리 4M (512Kx8) 70 나노 초 2.7-3.6V
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마이크로칩 기술
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S29GL064S70TFI010 |
평행하지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 64Mb, 3.0V
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사이프러스 반도체
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