필터
필터
집적 회로 - ICs
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
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IS43TR16512AL-125KBLI |
DRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
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ISSI
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MT40A512M16TB-062E :Ｊ |
DRAM DDR4 8G 512Mx16 에프비지에이
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미크론 기술
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HI1-565ATD-2 |
디지털-아날로그 변환기 - DAC DAC 12BIT 6 7MHZ 0 1 2LSB 24 S/B DIP MIL
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인터실
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DAC8760IPWPR |
디지털-아날로그 변환기 - DAC 1-CH 16B Prgmmble Crnt/VTG Output DAC
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텍사스 인스트루먼트
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S29GL512P11FFI020 |
플래쉬 메모리 512Mb 3V 110 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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S25FL116K0XMFI011 |
일련이지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 16M, 3V, 108Mhz
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사이프러스 반도체
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TC58NVG1S3ETA00 |
플래시 메모리 1Gb 3.3V SLC NAND 플래시 직렬 EEPROM
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토시바
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TH58NVG4S0FTA20 |
순간 메모리 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
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토시바
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BU2506FV-E2 |
IC DAC 10BIT 8채널 SSOP20
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롬 반도체
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DS2432P+T&R |
EEPROM
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ADI / 아날로그 디바이스
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TH58NVG5S0FTAK0 |
순간 메모리 32Gb 3.3V IC 순간 NAND EEPROM
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토시바
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TC58NVG0S3ETA00 |
플래시 메모리 1Gb 3.3V SLC NAND 플래시 EEPROM
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토시바
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THGBMHG6C1LBAWL |
플래시 메모리 8GB NAND EEPROM I-Temp
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토시바
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TGBMFG8C2LBAIL |
플래시 메모리 32GB NAND EEPROM
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토시바
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TC58CVG1S3HRAIG |
일련인 순간 메모리 2Gb 3.3V SLC 낸드 플래쉬
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토시바
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S29GL064N90TFA043 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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THGBMDG5D1LBAIT |
순간 메모리 4GB NAND EEPROM
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토시바
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THGBMHG9C4LBAIR |
CQ와 순간 메모리 64GB NAND EEPROM
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토시바
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S34ML04G200TFI003 |
플래쉬 메모리 4G, 3V, 25 나노 초 낸드 플래쉬
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에스판션 / 사이프레스
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S25FL164K0XMFI010 |
일련이지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 64M, 3.0V, 108Mhz
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사이프러스 반도체
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S71VS128RC0AHK4L0 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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MCP4822-E/SN |
디지털-아날로그 변환기 - DAC Dual 12-bit DAC
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마이크로칩 기술
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S34ML04G100TFI000 |
플래쉬 메모리 4Gb 3V 25 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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S25FL128P0XNFI003 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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S34ML08G101TFI000 |
플래쉬 메모리 8G 3V 25 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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S29GL032N90TFI043 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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S25FL064P0XMFI003 |
일련이지도 또한 순간적인 순간 메모리 64M CMOS 3V 104MHZ
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에스판션 / 사이프레스
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TC58CVG2S0HRAIG |
일련인 순간 메모리 4Gb 3.3V SLC 낸드 플래쉬
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토시바
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IS25LP256D-JMLE |
순간 메모리 256M 3V 166MHZ 일련의 플래시
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ISSI
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IS25LQ010B-JNLE |
플래시 메모리 1Mb QSPI, 8핀 SOP 150Mil, RoHS, ET
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ISSI
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IS25LP064A-JMLE |
플래쉬 메모리 64Mb QPI / QSPI, 16 핀 SOP 300Mil, 로에스, ET
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ISSI
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IS25LQ032B-JBLE-TR |
플래쉬 메모리 32M SPI, 8 핀 SOP 208 밀리리터 ET 2.3-3.6V
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ISSI
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IS25LQ010B-JNLE-TR |
플래시 메모리 1Mb QSPI, 8핀 SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
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ISSI
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S29GL032N11TFIV20 |
플래시 메모리 32MB 2.7-3.6V 110ns 병렬 NOR 플래시
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에스판션 / 사이프레스
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S29GL064N90TFI043 |
플래쉬 메모리도 또한
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사이프러스 반도체
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S34MS02G100BHI000 |
플래시 메모리 2Gb, 1.8V, 45ns NAND 플래시
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사이프러스 반도체
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BU2505FV-E2 |
IC DAC 10BIT 10채널 SSOP-B20
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롬 반도체
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S29GL032N90FFI020 |
플래쉬 메모리 32MB 2.7-3.6V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
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에스판션 / 사이프레스
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S34MS08G201BHI000 |
플래쉬 메모리 Nand
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사이프러스 반도체
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S29GL064N90FFI010 |
플래쉬 메모리 64M 3.0V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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S29GL032N90TFI010 |
플래쉬 메모리 32Mb 3V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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S25FL216K0PMFI011 |
플래시 메모리 16Mb 3V 65MHz 직렬 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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S29GL064N90TFI04 |
플래쉬 메모리 64Mb 3V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
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사이프러스 반도체
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THGBMHG6C1LBAIL |
CQ와 순간 메모리 8GB NAND EEPROM
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토시바
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S34ML04G100TFI003 |
플래쉬 메모리 4Gb 3V 25 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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S25FL164K0XMFI011 |
일련이지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 64M, 3.0V, 108Mhz
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사이프러스 반도체
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S34MS01G200BHI000 |
플래쉬 메모리 1Gb, 1.8V, 45 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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S34ML01G200TFI003 |
플래쉬 메모리 1Gb, 3V, 25 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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S34ML02G100TFI000 |
플래시 메모리 2Gb 3V 25ns NAND 플래시
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사이프러스 반도체
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S34ML04G200BHI000 |
플래쉬 메모리 4G, 3V, 25 나노 초 낸드 플래쉬
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사이프러스 반도체
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