IXTH13N110
제조 업체:
익시스
기술:
MOSFET 13암페어 1100V 0.92 Rds
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
13 A
증가하는 방식:
구멍을 통해
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
TO-247-3
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
1100V
포장:
튜브
상품 카테고리:
MOSFET
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
20 Ｖ
Rds에 - 드레인-소스 저항:
800 모엠에스
제조업자:
IXYS
소개
IXYS의 IXTH13N110은 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격입니다.상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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