IXFK200N10P
제조 업체:
익시스
기술:
MOSFET 200암페어 100V 0.0075 Rds
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
200 A
증가하는 방식:
구멍을 통해
상표명:
극성, HiPerFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
TO-264-3
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
100 Ｖ
포장:
튜브
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
5 Ｖ
상품 카테고리:
MOSFET
Rds에 - 드레인-소스 저항:
7.5m옴
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
20 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
235 nC
제조업자:
IXYS
소개
IXYS의 IXFK200N10P는 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로, 원래와 새로운 부품입니다.상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
관련 제품
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
9FN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
9FN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ: