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IXTT20N50D

제조 업체:
익시스
기술:
MOSFET 20암페어 500V 0.33 Rds
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
20 A
증가하는 방식:
SMD/SMT
최소 동작 온도:
- 55 C
패키지 / 케이스:
TO-268-3
최대 작업 온도:
+ 150 C
채널 모드:
고갈
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
500 V
포장:
튜브
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
- 3.5V
상품 카테고리:
MOSFET
Rds에 - 드레인-소스 저항:
330m옴
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
30V
큐그 - 게이트전하:
78.5nC
제조업자:
IXYS
소개
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