IXFN170N30P
제조 업체:
익시스
기술:
MOSFET 138Amps 300V 0.018Rds
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
138A
증가하는 방식:
섀시 마운트
상표명:
극성, HiPerFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
SOT-227-4
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
300V
포장:
대용품
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
4.5V
상품 카테고리:
MOSFET
Rds에 - 드레인-소스 저항:
18 모엠에스
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
20 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
258nC
제조업자:
IXYS
소개
IXYS의 IXFN170N30P는 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 세계 시장에서 경쟁력있는 가격으로, 원래 및 새로운 부품입니다.상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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