W9751G6KB-18
제조 업체:
윈본드 전자공학
기술:
IC DRAM 512M 병렬 84WBGA
범주:
반도체
상술
기술:
SDRAM - DDR2
상품 카테고리:
메모리 ics
기억 영역형:
휘발성 물질
공장 재고:
0
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
84-WBGA(8x12.5)
엑세스 시간:
350Ps
메모리 포맷:
DRAM
상태 부분:
액티브
메모리 용량:
512Mb(32M x 16)
포장:
트레이
@ 수량:
0
작동 온도:
0' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC)
최소 수량:
209
기억기접합:
대비
패키지 / 케이스:
84-tfbga
장착형:
표면 마운트
클럭 주파수:
533MHz
전압 - 공급:
1.7V ~ 1.9V
시리즈:
-
제조업자:
윈본드 전자공학
소개
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