필터
필터
반도체
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
K4E6E304EE-EGCF |
메모리 IC
|
삼성 반도체
|
|
|
|
|
|
S29WS512P0SBFW000 |
평행하지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 512Mb 1.8V 80Mhz
|
에스판션 / 사이프레스
|
|
|
|
|
|
S29WS256P0PBFW000 |
플래시 메모리 256Mb 1.8V 66Mhz 병렬 NOR 플래시
|
에스판션 / 사이프레스
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90TFI030 |
플래시 메모리 3V 32Mb 플로트 게이트 2개 주소 90s
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
S29GL064N90TFI010 |
플래쉬 메모리 64Mb 3V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
IS42S16320B-6TL |
DRAM 512M(32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC 플래시 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
|
미크론 기술
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128AL-125KBL |
DRAM 2G 1.35V(128M x 16) DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
K4B1G1646G-BCH9 |
1Gb D다이 DDR3 SDRAM 사양
|
삼성 반도체
|
|
|
|
|
|
K4G80325FB-HC25 |
그래픽 메모리
|
삼성 반도체
|
|
|
|
|
|
M29DW128G70NF6E |
NOR 플래시 병렬 128Mbit 16 56/56
|
STM이크로전자
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100C-50KLI-TR |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM 비동기
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-15HBLI |
DRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
S29CD016J0PQAM113 |
플래쉬 메모리도 또한
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
IS43TR16640A-125JBLI |
DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS41C16100C-50KLI |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM 비동기
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-15HBLI |
DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-125KBLI |
DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-125KBLI |
DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-125KBL |
DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
S29GL128N90FFAR22 |
플래쉬 메모리도 또한
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
TGBMFG6C1LBAIL |
플래시 메모리 8GB NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFIS30 |
플래쉬 메모리 32Mb 3V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
CQ와 순간 메모리 16GB NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
S70FL256P0XMFI001 |
순간 메모리 256M, 3.0V, 104Mhz SPI도 또한 플래시
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
S25FL116K0XMFI041 |
일련이지도 또한 순간적인 플래쉬 메모리 16M, 3V, 108Mhz
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
IS25LQ020B-JNLE-TR |
플래시 메모리 2Mb QSPI, 8핀 SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS25LQ032B-JBLE |
플래쉬 메모리 32M SPI, 8 핀 SOP 208 밀리리터 ET 2.3-3.6V
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4Gbit CMOS NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1Gbit CMOS NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
S29JL032J70TFI220 |
플래쉬 메모리 32MB은 3.0V 70 나노 초 평행한 NOR 플래시를 번쩍입니다
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
S34MS04G100BHI000 |
플래시 메모리 4G, 1.8V, 45ns NAND 플래시
|
에스판션 / 사이프레스
|
|
|
|
|
|
S34ML01G200BHV000 |
플래쉬 메모리 Nand
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
S34MS01G100BHI000 |
플래시 메모리 1G, 1.8V, 45ns NAND 플래시
|
에스판션 / 사이프레스
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90TFI023 |
플래쉬 메모리 32MB 2.7-3.6V 90 나노 초 평행한 NOR 플래시
|
사이프러스 반도체
|
|
|
|
|
|
IS25WP016D-JULE-TR |
NOR 플래시 16Mb QSPI, 8핀 USON 2X3MM, RoHS, T&R
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2Gbit CMOS NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
TC58NVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1Gbit CMOS NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 4Gbit CMOS NAND EEPROM
|
토시바
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-125KBLI-TR |
DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-107MBLI |
DRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128CL-125KBL |
DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-15HBL |
DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16512AL-125KBL |
DRAM DDR3L,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43DR16128B-25EBLI |
DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 볼 BGA(10.5mmx13.5mm) RoHS, IT
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-125KBLI |
DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
|
ISSI
|
|
|