APTM10DSKM09T3G
기술:
APTM10DSKM09T3G 데이터 시트 PDF 및 트랜지스터 - FETS, MOSFET- Roving Networks / Microchip Technology Stock의 제품
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
APTM10DSKM09T3G
제조업자:
로빙 네트웍스 / 마이크로칩 테크놀로지
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
APTM10DSKM09T3G 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
APTM10DSKM09T3G 자세한 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
$ 75.82
발언:
제조사: 로빙 네트웍스(Roving Networks) / 마이크로칩 테크놀로지(Microchip Technology) Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
섀시 마운트, 나사
포장:
대용품
Rds On Max:
10 MΩ
핀 수:
3
전력 소모:
390W
턴 온 지연 시간:
35 나노 초
최대 전력 손실:
390W
민 작동 온도:
-40 'Ｃ
연속배수 경향 (Id):
139A
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
aptm10dskm09t3g.pdf
수량:
4470 재고 있음
신청서:
빌딩 자동화 유선 네트워킹 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS)
강하 시간:
125 나노 초
상승 시간:
70 나노 초
경우 / 패키지:
모듈
입력 커패시턴스:
9.875 nf
원소 수:
2
정지 지연 시간:
95 나노 초
맥스 작동 온도:
150℃
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
30V
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
100 Ｖ
소개
APTM10DSKM09T3G 개요\\\\nAPTM10DSKM09T3G는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델입니다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해,데이터 시트를 참조하십시오., 예를 들어 PDF 파일 Docx 문서 등. 우리는 참조를 위해 APTM10DSKM09T3G 고화질 사진과 데이터 시트를 가지고 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.APTM10DSKM09T3G는 건물 자동화, 유선 네트워크, 고급 운전자 보조 시스템 (ADAS) 에서 널리 사용됩니다.로빙 네트워크 / 마이크로 칩 테크놀로지가 제작하고 팬즈가 배포합니다., 텐션 및 다른 유통업체. APTM10DSKM09T3G는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다. 당신은이 웹 사이트에서 직접 주문을 할 수 있습니다, 또는 전화 또는 이메일을 보낼 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다..우리 자신의 재고뿐만 아니라, 우리는 또한 당신의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다.우리는 또한 다른 모델을 가지고 있습니다., MOSFETs - 배열 카테고리를 대체합니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 확신을 가지고 팬에서 APTM10DSKM09T3G 주문 할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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