삼성 반도체
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
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K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8비트 / 1G x 8비트 NAND 플래시 메모리
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K4S641632K-UC60 |
64Mb K-다이 SDRAM
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K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8비트 NAND 플래시 메모리
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K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8비트 / 2G x 8비트 NAND 플래시 메모리
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KLUEG8U1EM-B0B1 |
메모리 IC
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K4B2G1646F-BCK0 |
무연 및 무할로겐을 갖춘 96FBGA
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K4H511638J -LCCC |
512Mb C-다이 DDR SDRAM 사양
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K9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-다이 NAND 플래시
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K4W1G1646E-HC12 |
그래픽 메모리
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K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-다이 DDR2 SDRAM
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K4B4G1646D-BCMA |
4Gb B-다이 DDR3 SDRAM 올니 x16
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K9F5608U0D-PCB0 |
32M x 8비트 NAND 플래시 메모리
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K4A8G085WB-BCPB |
8Gb B-다이 DDR4 SDRAM
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K4A8G165WC-BCTD |
8Gb B-다이 DDR4 SDRAM x16
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K4B4G0846Q-HYK0 |
DDP 4Gb B-다이 DDR3 SDRAM 사양
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K4T1G164QE-HCE7 |
무연 및 무할로겐을 갖춘 1Gb E-다이 DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA(RoHS 준수)
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16Gb E-다이 NAND 플래시
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K4G20325FD-FC03 |
그래픽 메모리
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K4G41325FE-HC28 |
그래픽 메모리
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K4E6E304EE-EGCF |
메모리 IC
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K4B1G1646G-BCH9 |
1Gb D다이 DDR3 SDRAM 사양
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K4G80325FB-HC25 |
그래픽 메모리
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K4S561632H-UC75 |
SDRAM 제품 가이드
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K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4뱅크 동기식 DRAM LVTTL
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K4T1G164QE-HCF8 |
1Gb E-다이 DDR2 SDRAM
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K9F1G08U0B-PCB |
128M x 8비트 / 256M x 8비트 NAND 플래시 메모리
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K9F5608U0D-PIB0 |
32M x 8비트 NAND 플래시 메모리
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K4S561632N-LC75 |
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K9F1G08U0D-SCB0 |
128M x 8비트 / 256M x 8비트 NAND 플래시 메모리
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K9WBG08U1M-PIB0 |
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K9WAG08U1A-PIB0 |
1G x 8비트 / 2G x 8비트 NAND 플래시 메모리
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K9F2G08U0C-SIB0 |
2Gb C-다이 NAND 플래시
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K9F2G08U0C-SCB0 |
2Gb C-다이 NAND 플래시
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S3C4530A01-QE80 |
16/32비트 RISC 마이크로컨트롤러는 비용 효율적인 고성능 마이크로컨트롤러입니다.
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S3C2440AL-40 |
16/32비트 RISC 마이크로프로세서
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K5L2731CAA-D770 |
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K4S641632N-LC60 |
1M x 16Bit x 4뱅크 동기식 DRAM
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K4E6E304EE-EGCE |
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K4B4G1646D-BMK0 |
DDR3 SDRAM 메모리
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S3C2410AL-20 |
Risc 마이크로프로세서
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KMR310001M-B611 |
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K4S561632E-UC75 |
256Mb E-다이 SDRAM 사양 54 TSOP-II(무연 포함)(RoHS 준수)
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K9K8G08U0B-PCB0 |
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K4G41325FC-HC03 |
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K4T1G164QF-BCE7 |
1Gb F-다이 DDR2 SDRAM
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K4T51163QI-HCE7 |
512Mb B-다이 DDR2 SDRAM
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K4B4G1646B-HYK0 |
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K4B1G1646G-BCK0 |
1Gb C-다이 DDR3 SDRAM 사양
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K4S561632J-UC75 |
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K9F1G08U0D-SIB0 |
1Gb 낸드 플래시
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