IPG20N04S409ATMA1
기술:
IPG20N04S409ATMA1 데이터 시트 pdf 및 트랜지스터 - FET, MOSFET - IR(Infineon Technologies) 재고의 어레이 제품 세부 정보를 Tan
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
IPG20N04S409ATMA1
제조업자:
IR(인피니언 테크놀로지스)
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
IPG20N04S409ATMA1 데이터시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
IPG20N04S409ATMA1 추가 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
$1.26
발언:
제조사: IR(인피니언 테크놀로지스) Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
표면 마운트
포장:
테이프 & 릴
Rds On Max:
8.6mΩ
핀 수:
8
전력 소모:
54 Ｗ
온-상태 저항:
8.6mΩ
요소 구조:
듀얼
맥스 작동 온도:
175 'Ｃ
소스 저항에 고갈되세요:
8.6mΩ
연속배수 경향 (Id):
20 A
소오스 항복 전압에 고갈되세요:
40 Ｖ
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
IPG20N04S409ATMA1.pdf
수량:
7589 재고 있음
신청서:
무선 인프라 홈 시어터 및 엔터테인먼트
강하 시간:
10 나노 초
상승 시간:
3 나노 초
비를 예정하세요:
8541290080
패키지 양:
5000
턴 온 지연 시간:
12ns
정지 지연 시간:
15 나노 초
최대 양전원:
40 Ｖ
민 작동 온도:
-55 'Ｃ
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
20 Ｖ
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
40 Ｖ
소개
IPG20N04S409ATMA1 개요\\\\nIPG20N04S409ATMA1는 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Arrays 하위 카테고리에 속하는 모델입니다. 특정 제품 성능 매개 변수.,데이터 셰이트, 예를 들어 PDF 파일, Docx 문서 등을 참조하십시오. 우리는 IPG20N04S409ATMA1 고화질 사진과 데이터 셰이트를 참조합니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.. IPG20N04S409ATMA1는 무선 인프라, 홈 시어터 및 엔터테인먼트에서 널리 사용됩니다. IR (인피니언 테크놀로지) 에 의해 제조되고 팬스, 텐션 및 기타 유통업체에 의해 배포됩니다.IPG20N04S409ATMA1는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다이 웹사이트에서 직접 주문을 할 수도 있고, 전화하거나 이메일을 보낼 수도 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다.우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다IPG20N04S409ATMA1의 공급이 충분하지 않으면, 우리는 또한 그것을 대체하기 위해 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 배열 범주 아래 다른 모델이 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 IPG20N04S409ATMA1을 주문할 수 있습니다. 팬들에게 확신을 가지고. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS와 같은 다양한 물류를 통해 고객에게 물건을 배달 할 수 있습니다.TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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