qs6j3tr
기술:
질문
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
qs6j3tr
제조업자:
롬 반도체
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
QS6J3TR 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
qs6j3tr 더 많은 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
$0.22
발언:
제조사: ROHM Semiconductor. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
표면 마운트
포장:
컷 테이프
Rds On Max:
215 MΩ
명목상 브그스:
-2 Ｖ
경우 / 패키지:
SOT-23-6
핀 수:
6
전력 소모:
1.25W
턴 온 지연 시간:
10 나노 초
정지 지연 시간:
45 나노 초
요소 구조:
듀얼
맥스 작동 온도:
150℃
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
12 Ｖ
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
20 Ｖ
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
qs6j3tr.pdf
수량:
215 재고 있음
신청서:
프로 오디오, 비디오 및 간판 항공 우주 및 방어 휴대폰
강하 시간:
12ns
상승 시간:
12ns
저항력:
215 MΩ
종결:
SMD/SMT
현재 등급:
-1.5 A
입력 커패시턴스:
270 pF
문턱 전압:
-2 Ｖ
양전원:
-20 Ｖ
정류압 (DC):
-20 Ｖ
최대 전력 손실:
1.25W
소스 저항에 고갈되세요:
215 MΩ
연속배수 경향 (Id):
1.5 A
소오스 항복 전압에 고갈되세요:
-20 Ｖ
소개
QS6J3TR 개요\\nQS6J3TR는 디스크리트 반도체 하에 있는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델입니다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해,데이터 시트를 참조하십시오., PDF 파일 Docx 문서 등과 같이 QS6J3TR 고화질 사진과 데이터 시트를 참고할 수 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.. QS6J3TR는 프로 오디오, 비디오 & 사이니지, 항공우주 & 방위, 휴대 전화에서 널리 사용됩니다. ROHM 반도체에서 제조하고 팬스, 텐션 및 기타 유통업체에 의해 배포됩니다.QS6J3TR는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다.이 웹사이트에서 직접 주문을 할 수도 있고, 전화하거나 이메일을 보낼 수도 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다.우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다QS6J3TR의 공급이 충분하지 않으면, 우리는 또한 그것을 대체하기 위해 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 배열 범주 아래 다른 모델을 가지고 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 QS6J3TR를 주문할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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