STS8DN3LLH5
기술:
STS8DN3LLH5 데이터 시트 PDF 및 트랜지스터 - FETS, MOSFET- Tanssion에서 이용할 수있는 STMICROELECTRONICS 스톡의 제품 세부 사항
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
STS8DN3LLH5
제조업자:
STM이크로전자
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
STS8DN3LLH5 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
STS8DN3LLH5 자세한 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
$1.66
발언:
제조사: STMicroelectronics. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
표면 마운트
포장:
Digi-Reel®
Rds On Max:
19mΩ
경우 / 패키지:
SOIC
입력 커패시턴스:
724 pf
원소 수:
2
정지 지연 시간:
21.1ns
최대 전력 손실:
2.7 Ｗ
민 작동 온도:
-55 'Ｃ
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
22 Ｖ
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
30V
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
sts8dn3llh5.pdf
수량:
9628 재고 있음
신청서:
차체 전자기기 및 조명 웨어러블(비의료용)
강하 시간:
3.5 나노 초
상승 시간:
4.2 나노 초
저항력:
19mΩ
핀 수:
8
전력 소모:
2.7 Ｗ
턴 온 지연 시간:
4 나노 초
요소 구조:
듀얼
맥스 작동 온도:
150℃
소스 저항에 고갈되세요:
15.5 MΩ
연속배수 경향 (Id):
10 A
소오스 항복 전압에 고갈되세요:
30V
소개
STS8DN3LLH5 개요\\\\nSTS8DN3LLH5는 디스크리트 반도체 하에 있는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델이다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해,데이터 시트를 참조하십시오., PDF 파일 Docx 문서 등과 같이 우리는 참조를 위해 STS8DN3LLH5 고화질 사진과 데이터 시트를 가지고 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.. STS8DN3LLH5는 신체 전자 및 조명, 웨어러블 (비 의료) 에 널리 사용됩니다. STMicroelectronics에서 제조하고 팬스, 텐션 및 기타 유통업체에 의해 배포됩니다.STS8DN3LLH5는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다.이 웹사이트에서 직접 주문을 할 수도 있고, 전화하거나 이메일을 보낼 수도 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다.우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다만약 STS8DN3LLH5의 공급이 충분하지 않다면, 우리는 그것을 대체하기 위해 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Arrays 카테고리의 다른 모델도 가지고 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 자신감을 가지고 팬에서 STS8DN3LLH5 주문 할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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