CSD87333Q3DT
기술:
CSD87333Q3DT 데이터 시트 PDF 및 트랜지스터 - FETS, MOSFET- Texas Instruments의 제품 세부 정보 주식 Tanssion에서 제공되는 제품 세부
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
CSD87333Q3DT
제조업자:
텍사스 인스트루먼트
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
CSD87333Q3DT 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
CSD87333Q3DT 추가 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
$1.46
발언:
제조사: 텍사스 인스트루먼트. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
표면 마운트
높이:
0 분
무게:
75.891673mg
포장:
테이프 & 롤 (TR)
두께:
900 um
비를 예정하세요:
8541290080
접착장:
금
채널 수:
2
정지 지연 시간:
9.4 ns
최대 전력 손실:
6W
민 작동 온도:
-55 'Ｃ
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
950 mV
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
30V
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
CSD87333Q3DT.PDF
수량:
2874 재고 있음
신청서:
공장 자동화 및 제어 연결된 주변 장치 및 프린터 전원 배송
너비:
3.3mm
길이:
3.3mm
강하 시간:
2.2 나노 초
상승 시간:
3.9 나노 초
Rds On Max:
14.3 MΩ
핀 수:
8
입력 커패시턴스:
662 pf
턴 온 지연 시간:
2.1 나노 초
요소 구조:
싱글
맥스 작동 온도:
150℃
소스 저항에 고갈되세요:
13.4 MΩ
연속배수 경향 (Id):
15 A
소개
CSD87333Q3DT 개요\\\\nCSD87333Q3DT는 디스크리트 반도체 하에 있는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델입니다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해,데이터 시트를 참조하십시오., 예를 들어 PDF 파일 Docx 문서 등. 우리는 참조를 위해 CSD87333Q3DT 고화질 사진과 데이터 시트를 가지고 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.. CSD87333Q3DT는 공장 자동화 및 제어, 연결 주변 장치 및 프린터, 전력 공급에 널리 사용됩니다. 그것은 텍사스 도구에 의해 제조되고 팬에 의해 배포됩니다,텐션 및 기타 유통업체. CSD87333Q3DT는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다. 당신은이 웹 사이트에서 직접 주문을 할 수 있습니다, 또는 당신은 전화 또는 이메일을 할 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다. 추가로 우리의 자신의 재고,우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다만약 CSD87333Q3DT의 공급이 충분하지 않다면, 우리는 또한 그것을 대체하기 위해 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Arrays 범주에 속하는 다른 모델을 가지고 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 CSD87333Q3DT를 주문할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
데이터 시트 PDF
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