MMDF3N04HDR2
기술:
MMDF3N04HDR2 데이터 시트 PDF 및 트랜지스터 - FETS, MOSFET- SANYO SEMICONDUCTOR/ON SEMICONDOR STOCK의 제품 세부 사항
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
MMDF3N04HDR2
제조업자:
산요 반도체/온세미컨덕터
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
MMDF3N04HDR2 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
MMDF3N04HDR2 자세한 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
0.00 달러
발언:
제조사: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
표면 마운트
포장:
컷 테이프 (CT)
Rds On Max:
80 mΩ
현재 등급:
3 A
입력 커패시턴스:
900pF
정지 지연 시간:
15 나노 초
최대 전력 손실:
1.39 w
민 작동 온도:
-55 'Ｃ
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
20 Ｖ
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
40 Ｖ
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
mmdf3n04hdr2.pdf
수량:
238 재고 있음
신청서:
하이브리드, 전기 및 파워트레인 시스템 그리드 인프라 홈 시어터 및 엔터테인먼트
강하 시간:
19 나노 초
상승 시간:
15 나노 초
경우 / 패키지:
SOIC
핀 수:
8
전력 소모:
2 Ｗ
정류압 (DC):
40 Ｖ
맥스 작동 온도:
150℃
소스 저항에 고갈되세요:
80 mΩ
연속배수 경향 (Id):
3 A
소오스 항복 전압에 고갈되세요:
40 Ｖ
소개
MMDF3N04HDR2 Overview\\nMMDF3N04HDR2 is a model belonging to the Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays subcategory under Discrete Semiconductor. For specific product performance parameters, 이 모델은 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Arrays에 속하는 모델입니다.데이터 시트를 참조하십시오.우리는 MMDF3N04HDR2 고화질 사진과 데이터 시트를 참고합니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.MMDF3N04HDR2는 하이브리드, 전기 및 파워트레인 시스템, 그리드 인프라, 홈 극장 및 엔터테인먼트에서 널리 사용됩니다.산요 반도체/온 반도체에서 제조하고 팬즈에서 배포합니다.MMDF3N04HDR2는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다. 당신은이 웹 사이트에서 직접 주문을 할 수 있습니다. 또는 전화하거나 이메일을 보낼 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다.또한 우리 자신의 재료를MMDF3N04HDR2의 공급이 부족하면우리는 또한 다른 모델을 가지고 있습니다., MOSFETs - 배열 카테고리를 대체합니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 MMDF3N04HDR2를 팬들로부터 확신으로 주문할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
mmdf3n04hd-d.pdf
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