IRF8513PBF
기술:
IRF8513PBF 데이터 시트 PDF 및 트랜지스터 - FETS, MOSFET- Tanssion에서 이용 가능한 Cypress Semiconductor Stock의 제품 세부 정
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
IRF8513PBF
제조업자:
사이프러스 반도체
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
IRF8513PBF 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
IRF8513PBF 더 많은 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
0.00 달러
발언:
제조사: Cypress Semiconductor. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
표면 마운트
높이:
1.4986mm
Rds On Max:
15.5 MΩ
명목상 브그스:
1.8 Ｖ
경우 / 패키지:
SOIC
핀 수:
8
전력 소모:
2.4W
원소 수:
2
요소 구조:
듀얼
맥스 작동 온도:
175 'Ｃ
소스 저항에 고갈되세요:
22.2 MΩ
연속배수 경향 (Id):
8 A
소오스 항복 전압에 고갈되세요:
30V
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
IRF8513PBF.pdf
수량:
307개 재고 있음
신청서:
차체 전자 장치 및 조명 빌딩 자동화 휴대용 전자 장치
너비:
3.9878mm
길이:
4.9784mm
저항력:
15.5 MΩ
종결:
SMD/SMT
회복 시간:
23 나노 초
입력 커패시턴스:
766 pf
문턱 전압:
1.8 Ｖ
양전원:
30V
최대 전력 손실:
2.4W
민 작동 온도:
-55 'Ｃ
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
20 Ｖ
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
30V
소개
IRF8513PBF 개요\\nIRF8513PBF는 디스크리트 반도체 (Discrete Semiconductor) 하에 있는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델이다. 특정 제품 성능 매개 변수를 위해,데이터 시트를 참조하십시오., 예를 들어 PDF 파일 Docx 문서 등 IRF8513PBF 고화질 사진과 데이터 시트를 참조하십시오.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.IRF8513PBF는 신체 전자 및 조명, 빌딩 자동화, 휴대용 전자 장치에서 널리 사용됩니다. Cypress Semiconductor에서 제조하고 Fans에서 배포합니다.텐션 및 기타 유통업체. IRF8513PBF는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다. 당신은이 웹 사이트에서 직접 주문을 할 수 있습니다, 또는 당신은 전화 또는 이메일을 할 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다. 추가로 우리의 자신의 재고,우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다만약 IRF8513PBF의 공급이 충분하지 않다면, 우리는 또한 그것을 대체하기 위해 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Arrays 카테고리의 다른 모델도 가지고 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 확신을 가지고 팬에서 IRF8513PBF를 주문 할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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