zxmn6a11dn8tc
기술:
ZXMN6A11DN8TC 데이터 시트 PDF 및 트랜지스터 - FETS, MOSFET- ZETEX SEMICONDUCTORS (DIODES Inc.)의 제품 세부 정보는 Tanss
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
zxmn6a11dn8tc
제조업자:
제텍스 반도체 (디오드 인크)
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
ZXMN6A11DN8TC 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
zxmn6a11dn8tc 더 많은 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
0.00 달러
발언:
제조사: Zetex Semiconductors(Diodes Inc.) Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
표면 마운트
높이:
1.5 밀리미터
무게:
73.992255mg
포장:
테이프 & 롤 (TR)
Rds On Max:
120 mΩ
현재 등급:
2.7 A
입력 커패시턴스:
330pF
채널 수:
2
정지 지연 시간:
8.2ns
최대 전력 손실:
1.25W
민 작동 온도:
-55 'Ｃ
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
20 Ｖ
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
60 Ｖ
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
zxmn6a11dn8tc.pdf
수량:
10 재고 있음
신청서:
인포테인먼트 및 클러스터 산업 운송(비자동차 및 비소형 트럭) 연결된 주변 장치 및 프린터
너비:
4mm
길이:
5 밀리미터
강하 시간:
3.5 나노 초
상승 시간:
3.5 나노 초
경우 / 패키지:
SOP
핀 수:
8
전력 소모:
1.25W
턴 온 지연 시간:
1.95 ns
정류압 (DC):
60 Ｖ
맥스 작동 온도:
150℃
소스 저항에 고갈되세요:
180 mΩ
연속배수 경향 (Id):
2.5 A
소오스 항복 전압에 고갈되세요:
60 Ｖ
소개
ZXMN6A11DN8TC 개요\\nZXMN6A11DN8TC는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델입니다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해,데이터 시트를 참조하십시오., PDF 파일 Docx 문서 등과 같이 우리는 참조를 위해 ZXMN6A11DN8TC 고화질 사진과 데이터 시트를 가지고 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.. ZXMN6A11DN8TC는 인포테인먼트 및 클러스터, 산업 교통 (자동차 및 경량 트럭이 아닌 것), 연결 주변 장치 및 프린터에서 널리 사용됩니다. Zetex Semiconductors (Diodes Inc) 에서 제조됩니다.) 그리고 팬들에 의해 배포, 텐션 및 다른 유통업체. ZXMN6A11DN8TC는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다. 당신은이 웹 사이트에서 직접 주문을 할 수 있습니다, 또는 전화 또는 이메일을 보낼 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다.또한 우리 자신의 재료를ZXMN6A11DN8TC의 공급이 충분하지 않으면우리는 또한 다른 모델을 가지고 있습니다., MOSFETs - 배열 카테고리를 대체합니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans그래서 당신은 ZXMN6A11DN8TC를 주문할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
zxmn6a11dn8.pdf
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