PHN210T, 118
기술:
PHN210T, 118 데이터 시트 PDF 및 트랜지스터 - FETS, MOSFETS- Tanssion에서 이용 가능한 Nexperia Stock의 제품 세부 사항
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
PHN210T, 118
제조업자:
넥스페리아
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
PHN210T, 118 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
PHN210T, 118 추가 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
0.00 달러
발언:
제조사 : 넥스페리아 Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
너비:
4mm
길이:
5 밀리미터
포장:
테이프 & 릴
Rds On Max:
100 mΩ
종결:
SMD/SMT
핀 수:
8
전력 소모:
2 Ｗ
턴 온 지연 시간:
6ns
정지 지연 시간:
21 나노 초
최대 전력 손실:
2 Ｗ
맥스 작동 온도:
150℃
소스 저항에 고갈되세요:
100 mΩ
연속배수 경향 (Id):
3.4 A
소오스 항복 전압에 고갈되세요:
30V
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
PHN210T, 118.pdf
수량:
390 재고 있음
신청서:
유선 네트워킹 빌딩 자동화 데이터 저장
높이:
1.45 밀리미터
강하 시간:
15 나노 초
상승 시간:
8 나노 초
명목상 브그스:
2 Ｖ
경우 / 패키지:
SOT-96-1
입력 커패시턴스:
250 PF
문턱 전압:
2 Ｖ
양전원:
30V
요소 구조:
듀얼
최대 양전원:
30V
민 작동 온도:
-65 'Ｃ
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
20 Ｖ
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
30V
소개
PHN210T,118 개요\\nPHN210T,118은 디스크리트 반도체 (Discrete Semiconductor) 하에 있는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델이다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해서는,데이터 시트를 참조하십시오., 예를 들어 PDF 파일 Docx 문서 등 PHN210T,118 고화질 사진과 데이터 시트를 참조하십시오.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.. PHN210T,118는 유선 네트워크,건축 자동화,데이터 저장에 널리 사용됩니다. 그것은 Nexperia에 의해 제조되고 팬스, 텐션 및 다른 유통업체에 의해 배포됩니다. PHN210T,118은 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다.이 웹사이트에서 직접 주문을 할 수도 있고, 전화하거나 이메일을 보낼 수도 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다.우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다PHN210T,118의 공급이 충분하지 않으면, 우리는 또한 그것을 대체 할 수있는 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 배열 범주에서 다른 모델을 가지고 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 확신을 가지고 팬에서 PHN210T,118 주문 할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS와 같은 다양한 물류를 통해 고객에게 물건을 배달 할 수 있습니다.TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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