SP8M4FU6TB
기술:
SP8M4FU6TB 데이터 시트 PDF 및 트랜지스터 - FETS, MOSFET- Tanssion에서 이용할 수있는 ROHM Semiconductor Stock의 제품 세부 사항
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
SP8M4FU6TB
제조업자:
롬 반도체
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
SP8M4FU6TB 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
SP8M4FU6TB 더 많은 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
0.00 달러
발언:
제조사: ROHM Semiconductor. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
표면 마운트
포장:
컷 테이프
Rds On Max:
18 mΩ
명목상 브그스:
2.5V
경우 / 패키지:
SOP
입력 커패시턴스:
1.19 nf
문턱 전압:
2.5V
정지 지연 시간:
110ns
최대 전력 손실:
2 Ｗ
민 작동 온도:
-55 'Ｃ
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
20 Ｖ
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
30V
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
sp8m4fu6tb.pdf
수량:
97 재고 있음
신청서:
차체 전자 장치 및 조명 모터 드라이브 연결된 주변 장치 및 프린터
강하 시간:
70 나노 초
상승 시간:
50 나노 초
저항력:
18 mΩ
종결:
SMD/SMT
핀 수:
8
전력 소모:
2 Ｗ
양전원:
30V
요소 구조:
듀얼
맥스 작동 온도:
150℃
소스 저항에 고갈되세요:
18 mΩ
연속배수 경향 (Id):
7A
소오스 항복 전압에 고갈되세요:
30V
소개
SP8M4FU6TB 개요\\nSP8M4FU6TB는 디스크리트 반도체 (Discrete Semiconductor) 하에 있는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델이다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해서는,데이터 시트를 참조하십시오., 예를 들어 PDF 파일 Docx 문서 등. 우리는 참조를 위해 SP8M4FU6TB 고화질 사진과 데이터 시트를 가지고 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.. SP8M4FU6TB는 보디 전자제품 및 조명, 모터 드라이브, 연결 주변 장치 및 프린터에서 널리 사용됩니다. 그것은 ROHM 반도체에 의해 제조되고 팬에 의해 배포됩니다.텐션 및 기타 유통업체. SP8M4FU6TB는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다. 당신은이 웹 사이트에서 직접 주문을 할 수 있습니다, 또는 당신은 전화 또는 이메일을 할 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다. 추가로 우리의 자신의 재고,우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다SP8M4FU6TB의 공급이 충분하지 않으면, 우리는 또한 그것을 대체하기 위해 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 배열 범주 아래 다른 모델이 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 SP8M4FU6TB를 주문할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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