SP8K4FU6TB
기술:
SP8K4FU6TB 데이터 시트 PDF 및 트랜지스터 - FETS, MOSFET- Tanssion에서 이용할 수있는 ROHM Semiconductor Stock의 제품 세부 사항
범주:
분리된 반도체 제품
상술
부문 번호:
SP8K4FU6TB
제조업자:
롬 반도체
설명:
재고 중이고 다른 모델도 있습니다.
수명:
이 제조업체의 새 제품
데이터 시트:
SP8K4FU6TB 데이터 시트 PDF
배달:
DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불:
T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온
더 많은 정보:
SP8K4FU6TB 더 많은 정보
전자카드:
무료 CAD 모델 요청
가격 (USD):
0.00 달러
발언:
제조사: ROHM Semiconductor. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야.
산:
표면 마운트
상승 시간:
15 나노 초
명목상 브그스:
2.5V
경우 / 패키지:
SOP
입력 커패시턴스:
1.19 nf
문턱 전압:
2.5V
양전원:
30V
요소 구조:
듀얼
맥스 작동 온도:
150℃
소스 저항에 고갈되세요:
17 mΩ
연속배수 경향 (Id):
9 A
소오스 항복 전압에 고갈되세요:
30V
제품 카테고리:
개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트:
sp8k4fu6tb.pdf
수량:
573개 재고 있음
신청서:
첨단 운전자 보조 시스템(ADAS) 전자 POS(전자 POS) TV
강하 시간:
22 나노 초
Rds On Max:
17 mΩ
종결:
SMD/SMT
핀 수:
8
전력 소모:
2 Ｗ
턴 온 지연 시간:
10 나노 초
정지 지연 시간:
55 나노 초
최대 전력 손실:
2 Ｗ
민 작동 온도:
-55 'Ｃ
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠:
20 Ｖ
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
30V
소개
SP8K4FU6TB 개요\\nSP8K4FU6TB는 디스크리트 반도체 (Discrete Semiconductor) 하에 있는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델이다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해서는,데이터 시트를 참조하십시오., PDF 파일 Docx 문서 등과 같이 우리는 참조를 위해 SP8K4FU6TB 고화질 사진과 데이터 시트를 가지고 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.. SP8K4FU6TB는 고급 운전자 보조 시스템 (ADAS), 전자 판매점 (EPOS), TV에서 널리 사용됩니다. ROHM Semiconductor에서 제조하고 Fans에 의해 배포됩니다.텐션 및 기타 유통업체. SP8K4FU6TB는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다. 당신은이 웹 사이트에서 직접 주문을 할 수 있습니다, 또는 전화 또는 이메일을 보낼 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다. 추가로 우리의 자신의 재고,우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다. SP8K4FU6TB의 공급이 충분하지 않으면, 우리는 또한 그것을 대체 할 수있는 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 배열 범주의 다른 모델이 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans그래서 당신은 SP8K4FU6TB를 주문할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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