FDC3535
제조 업체:
1개
기술:
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스:
SOT-23-6 씬, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
20 nC @ 10 V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
183m옴 @ 2.1A, 10V
FET Type:
P-Channel
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
80 Ｖ
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
880 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
SuperSOT™-6
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.1A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.6W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDC3535
소개
P 채널 80 V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) 표면 장착 SuperSOTTM-6
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