IRFB38N20DPBF
제조 업체:
인피니온 테크놀로지
기술:
MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 5V
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
91 nC @ 10 V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
54m옴 @ 26A, 10V
FET Type:
N-Channel
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2900 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HEXFET®
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
43A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFB38
소개
N 채널 200V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 구멍을 통해 TO-220AB
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