FQP27P06
제조 업체:
1개
기술:
MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
43 nC @ 10 V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
70m옴 @ 13.5A, 10V
FET Type:
P-Channel
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
10V
Package:
Tube
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
60 Ｖ
Vgs (Max):
±25V
제품 상태:
액티브
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
27A (Tc)
Power Dissipation (Max):
120W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQP27
소개
P 채널 60 V 27A (Tc) 120W (Tc) 구멍을 통해 TO-220-3
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