NVGS5120PT1G
제조 업체:
1개
기술:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
111mOhm @ 2.9A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
브그스 (맥스):
±20V
Product Status:
Active
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
30V에서 942pF
Mounting Type:
Surface Mount
시리즈:
자동차, AEC-Q101
Supplier Device Package:
6-TSOP
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.8A (Ta)
Power Dissipation (Max):
600mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
NVGS5120
소개
P 채널 60V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) 표면 마운트 6-TSOP
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