FDC655BN
제조 업체:
1개
기술:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET Feature:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 3V
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스:
SOT-23-6 씬, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 10 V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
25m옴 @ 6.3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
570 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
SuperSOT™-6
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6.3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.6W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDC655
소개
N 채널 30 V 6.3A (Ta) 1.6W (Ta) 표면 장착 SuperSOTTM-6
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