FQP7N80C
제조 업체:
1개
기술:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET Feature:
-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 5V
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
35 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.9Ohm @ 3.3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
800 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1680 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
167W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQP7
소개
N 채널 800 V 6.6A (Tc) 167W (Tc) 구멍을 통해 TO-220-3
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ: