DMN2009LSS-13
제조 업체:
다이오드 인코어레이트
기술:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
58.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 12A, 10V
FET은 타이핑합니다:
엔-채널
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
브그스 (맥스):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2555 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-SO
Mfr:
Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Ta)
Power Dissipation (Max):
2W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
DMN2009
소개
N 채널 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) 표면 장착 8-SO
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