FDN5618P
제조 업체:
1개
기술:
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
13.8 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
170mOhm @ 1.25A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
제품 상태:
액티브
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
430 pF @ 30 V
장착형:
표면 마운트
Series:
PowerTrench®
공급자의 장치 패키지:
SOT-23-3
Mfr:
onsemi
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
1.25A(타)
Power Dissipation (Max):
500mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDN5618
소개
P 채널 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) 표면 장착 SOT-23-3
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