JANTX1N5417
제조 업체:
마이크로칩 기술
기술:
다이오드 GEN PURP 200V 3A 축
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 200 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.5 V @ 9 A
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/411
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
B, Axial
Reverse Recovery Time (trr):
150 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
B, Axial
전압 - DC 반대 (Vr) (맥스):
200 Ｖ
Current - Average Rectified (Io):
3A
속도:
패스트 리커버리 =< 500 나노 초, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N5417
소개
다이오드 200V 3A B 구멍을 통해, 축
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