FDMS86263P
제조 업체:
1개
기술:
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
범주:
분리된 반도체 제품
상술
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
10 Ｖ에 있는 63 nC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
53mOhm @ 4.4A, 10V
FET은 타이핑합니다:
P-채널
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
브그스 (맥스):
±25V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3905 pF @ 75 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.4A (Ta), 22A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDMS86263
소개
P 채널 150V 4.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 표면 마운트 8-PQFN (5x6)
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