RK7002BMHZGT116
제조 업체:
롬 반도체
기술:
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
범주:
분리된 반도체 제품
상술
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:
-
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
2.3V @ 1mA
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
25V에서 15pF
시리즈:
자동차, AEC-Q101
브그스 (맥스):
±20V
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
공급자의 장치 패키지:
SST3
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
2.4옴 @ 250mA, 10V
Mfr:
롬 반도체
작동 온도:
150' Ｃ (TJ)
FET은 타이핑합니다:
엔-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
2.5V, 10V
전력 소모 (맥스):
350mW (Ta)
패키지 / 케이스:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
60 Ｖ
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
250mA(타)
기술:
MOSFET (금속 산화물)
기본 제품 번호:
RK7002
소개
N 채널 60 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) 표면 장착 SST3
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