70V659S12DRGI
제조 업체:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
기술:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
범주:
반도체
상술
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
12 나노 초
공급자의 장치 패키지:
208-pqfp (28x28)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
메모리 용량:
4.5Mbit
전압 - 공급:
3.15V ~ 3.45V
엑세스 시간:
12ns
패키지 / 케이스:
208-BFQFP
메모리구성:
128K x 36
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
SRAM - 듀얼 포트, 비동기식
기본 제품 번호:
70V659
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 듀얼 포트, 비동기 메모리 IC 4.5Mbit 병렬 12 ns 208-PQFP (28x28)
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