STN3NF06L
제조 업체:
STM이크로전자
기술:
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
범주:
반도체
상술
상품 카테고리:
MOSFET
브그스 (맥스):
±16V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
4A (Tc)
@ 수량:
0
FET은 타이핑합니다:
엔-채널
장착형:
표면 마운트
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
9nC @ 5V
제조업자:
STM이크로전자
최소 수량:
4000
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
5V, 10V
공장 재고:
0
작동 온도:
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
FET 특징:
-
시리즈:
스트립펫텀 II
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
340pF @ 25V
공급자의 장치 패키지:
SOT-223
상태 부분:
액티브
포장:
테이프 & ; 릴 (TR)
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
100m옴 @ 1.5A, 10V
전력 소모 (맥스):
3.3W(Tc)
패키지 / 케이스:
TO-261-4, TO-261AA
기술:
MOSFET (금속 산화물)
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
2.8V @ 250µA
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
60V
소개
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