IRF100B201
제조 업체:
IR / 인피니온
기술:
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2mΩ, 170nC Qg
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
엔-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
192 A
증가하는 방식:
구멍을 통해
상표명:
StrongIRFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
TO-220-3
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
100 Ｖ
포장:
튜브
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
2 Ｖ
상품 카테고리:
MOSFET
Rds에 - 드레인-소스 저항:
4.2m옴
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
20 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
170nC
제조업자:
IR / 인피니언
소개
IR / Infineon의 IRF100B201은 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로, 원래와 새로운 부품입니다.상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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