SQ3427AEEV-T1_GE3
제조 업체:
비샤이 반도체
기술:
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 인증
범주:
반도체
상술
트랜지스터 극성:
P-채널
기술:
Si
Id - 연속배수 경향:
- 5.3A
증가하는 방식:
SMD/SMT
상표명:
트렌치FET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
패키지 / 케이스:
TSOP-6
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
채널 모드:
향상
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
- 60V
포장:
릴
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
- 2.5V
상품 카테고리:
MOSFET
Rds에 - 드레인-소스 저항:
0.079옴
채널 수:
1개 채널
브그스 - 게이트-소스 전압:
+/- 20 Ｖ
큐그 - 게이트전하:
22 nC
제조업자:
비샤이 반도체
소개
비샤이 반도체의 SQ3427AEEV-T1_GE3는 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로,상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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