FDS4435BZ
제조 업체:
1개
기술:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
범주:
반도체
상술
상품 카테고리:
MOSFET
브그스 (맥스):
±25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
8.8A(타)
@ qty:
0
FET은 타이핑합니다:
P-채널
장착형:
표면 마운트
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
40nC @ 10V
제조업자:
반
최소 수량:
2500
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
4.5V, 10V
Factory Stock:
0
작동 온도:
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
FET 특징:
-
시리즈:
PowerTrench®
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
1845pF @ 15V
공급자의 장치 패키지:
8-SOIC
상태 부분:
액티브
포장:
테이프 & ; 릴 (TR)
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
20m옴 @ 8.8A, 10V
전력 소모 (맥스):
2.5W (Ta)
패키지 / 케이스:
8-soic (0.154" ;3.90 밀리미터 폭)
기술:
MOSFET (금속 산화물)
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 3V
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
30V
소개
ONSEMI의 FDS4435BZ는 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격입니다.상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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